时间：2025/6/10 17:14:24
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GA0805A100KBEBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该芯片采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款器件采用了小型封装技术，适合对空间有严格要求的应用场合。其出色的热性能和电气特性使其成为众多高效能应用的理想选择。
型号：GA0805A100KBEBT31G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：100V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：8A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
总栅极电荷(Qg)：29nC
输入电容(Ciss)：1640pF
输出电容(Coss)：170pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗。
2. 高开关速度，适用于高频应用。
3. 优化的栅极电荷设计，进一步降低了开关损耗。
4. 增强型抗雪崩能力，确保在极端条件下的可靠性。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅制造工艺。
7. 高效散热性能，可满足大功率应用需求。
8. 在宽广的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 汽车电子系统中的负载开关和电机控制。
4. 工业设备中的逆变器和变频器。
5. 电池管理系统中的保护电路。
6. LED 驱动器中的功率级控制元件。
7. 其他需要高性能功率开关的应用领域。
GA0805A100KBEHBT31G, GA0805A100KBEBT21G
