时间：2025/5/30 11:40:16
阅读：32
TYN616RG是一款基于氮化镓（GaN）技术的高性能功率开关器件，采用TO-220封装形式。该器件专为高频、高效能应用设计，适合于开关电源、充电器以及DC-DC转换器等场景。其内置的驱动保护电路和低导通电阻特性使其在高效率和高频率应用场景中表现出色。
该芯片结合了传统硅基MOSFET的优点与GaN材料的高频特性，能够在高温环境下保持稳定运行，并显著减少能量损耗。
型号：TYN616RG
封装形式：TO-220
VDS（漏源电压）：650V
RDS(on)（导通电阻）：160mΩ
Qg（栅极电荷）：45nC
ID（连续漏极电流）：8A
fsw（工作频率）：最高可达2MHz
结温范围：-55℃至+150℃
功耗：典型值约3W
TYN616RG具有以下主要特性：
1. 使用氮化镓材料制造，具备更低的寄生电感和电容，适合高频应用。
2. 内置驱动保护功能，有效防止过压、过流及短路情况。
3. 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗并提高系统效率。
4. 封装形式兼容性强，便于集成到现有设计方案中。
5. 支持高达2MHz的工作频率，能够显著缩小磁性元件体积。
6. 宽广的温度适应范围，确保在极端条件下也能可靠运行。
TYN616RG适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），尤其是需要小型化和高效能的设计。
2. USB PD快充适配器和移动设备充电器。
3. DC-DC转换器，如服务器供电单元或通信电源模块。
4. LED驱动电源和家用电器中的电源管理部分。
5. 太阳能微型逆变器和其他新能源相关设备。
由于其高频率和高效率的特点，TYN616RG非常适合对空间利用率和热性能有较高要求的应用场景。
TYN616RGP, TYN616RGM
