时间：2025/3/21 10:49:33
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DMN2100UDM-7 是一款 N 沣道 场效应晶体管（MOSFET），采用小尺寸封装设计，广泛应用于功率管理、信号切换和电源转换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适合在消费电子、工业控制以及通信设备中使用。
DMN2100UDM-7 的主要特点是其优化的电气性能，能够有效降低功耗并提升系统效率，同时支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和组装。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：45mΩ
总电荷量：9nC
栅极电荷：4nC
输入电容：440pF
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了更高的效率和更低的发热。
2. 快速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 小型化封装（UDM-7）节省 PCB 空间，适用于对空间敏感的设计。
4. 高可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
5. 提供出色的静电防护性能（ESD Protection），增强器件的耐用性。
这些特性使 DMN2100UDM-7 成为需要高效功率转换和紧凑设计的理想选择。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池管理。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
4. LED 驱动器和背光控制。
5. 便携式设备中的电源管理单元。
由于其高效的性能和小型化的封装，DMN2100UDM-7 在现代电子设备中得到了广泛应用。
DMN2990USN-7, DMN2999UFG-7
