时间：2025/4/29 17:12:59
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DMN2050L-7 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于便携式设备、电源管理电路以及需要高效率和小尺寸的应用场景。
该 MOSFET 的设计使其能够在较低的栅极驱动电压下实现高效导通，同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω（在 Vgs=4.5V 时）
栅极阈值电压：1.1V（典型值）
总功耗：410mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN2050L-7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
2. 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，适用于电池供电的便携式设备。
3. 快速开关性能，适合高频应用。
4. 小型 SOT-23 封装节省了 PCB 空间。
5. 高度可靠的电气和机械性能，适用于多种工业和消费类电子应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接和装配。
DMN2050L-7 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式音频设备的电源管理。
3. USB 接口保护和切换。
4. 数字相机和摄像机的电源控制。
5. 温度敏感环境下的散热解决方案。
6. 各种低功率 DC/DC 转换器和逆变器应用。
DMN2050UF-7, DMN2050DG-7
