时间：2025/7/25 16:59:30
阅读：8
FMOS047N03-H是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统等应用。其封装形式通常为TO-252或DFN5x6等，具备良好的热性能和可靠性。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：4.7mΩ（最大值）
功耗（PD）：100W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-252（DPAK）或DFN5x6
FMOS047N03-H采用先进的沟槽栅极技术，提供极低的导通电阻，从而降低导通损耗并提高效率。该器件具有优异的热稳定性，在高电流和高温环境下仍能保持稳定工作。其高耐压特性使其适用于多种功率转换应用，尤其是在需要高效率和低损耗的场合。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的可靠性和耐用性。
FMOS047N03-H的栅极驱动电压范围宽，支持常见的5V至15V驱动电路，兼容多种控制器和驱动IC。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用。封装方面，TO-252形式提供了良好的散热能力，适用于需要良好热管理的电源系统。此外，该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子制造要求。
该器件广泛应用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及LED照明驱动电路。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换的理想选择，特别是在需要低损耗和高可靠性的工业和汽车电子应用中。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IPB047N03NG, BSC047N03LS
