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1ED020I12-F 发布时间 时间:2025/5/9 9:40:11 查看 阅读:6

1ED020I12-F 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业控制、电力电子和新能源领域。该器件采用了先进的封装技术,具有低导通损耗和高开关速度的特点,适用于高频逆变器和电机驱动等应用。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:20A
  集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
  门极阈值电压:4V~8V
  最大工作结温:-55℃~175℃
  开关频率范围:最高可达20kHz
  热阻:0.2K/W
  封装形式:TO-247

特性

1ED020I12-F 具有较低的导通压降和较高的电流密度,能够显著降低功率损耗。
  该模块采用优化的芯片设计,提高了开关速度并降低了电磁干扰(EMI)。
  其内部集成有过流保护功能,增强了系统的可靠性和安全性。
  同时,该器件具有优异的热性能,确保在高温环境下也能稳定运行。
  此外,其紧凑的封装形式有助于减少整体系统的体积和重量。

应用

1ED020I12-F 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  - 工业逆变器和变频器
  - 太阳能逆变器
  - 电动汽车驱动系统
  - 不间断电源(UPS)
  - 家用电器中的高效电机驱动
  由于其高效率和可靠性,这款 IGBT 模块非常适合需要高频开关和低功耗的应用场景。

替代型号

1ED020I12-A, 1EDI20N120, FZ20N120E

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1ED020I12-F参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类功率驱动器IC
  • 产品Driver ICs - Various
  • 上升时间400 ns
  • 下降时间600 ns
  • Supply Voltage - Max5.5 V, 20 V, 0 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V, 13 V, - 12 V
  • 最大功率耗散700 mW
  • 最大工作温度+ 105 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体PG-DSO-16-15
  • 封装Reel
  • 配置Inverting, Non-Inverting
  • 最小工作温度- 40 C
  • 激励器数量1
  • 输出端数量1
  • 工作电源电压+ 5 V, + 15 V, - 8 V