时间：2025/4/29 16:57:30
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DMN2041UVT 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装 (MicroFET)，适合在空间受限的应用中使用，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于消费类电子、通信设备以及工业控制等领域。
其设计旨在提高效率并降低功耗，适用于负载开关、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率管理的场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.9A
导通电阻：65mΩ
栅极电荷：18nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：DSN1006-3
DMN2041UVT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少功率损耗并提高整体效率。
2. 小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。
3. 高速开关能力，有助于降低开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
5. 良好的热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 静电放电（ESD）保护功能增强了器件的可靠性。
DMN2041UVT 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和电源管理系统。
3. 电池供电设备中的功率管理。
4. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
5. 数据通信和网络设备中的信号切换。
6. 各种工业控制和汽车电子系统的功率管理模块。
DMN2040UVT, DMN2042UVT
