PBHV8540T 是一款高性能、低功耗的 MOSFET 功率晶体管,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,在保持高耐压的同时实现了较低的导通电阻和栅极电荷,从而提升了整体效率并降低了功率损耗。
其封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,具有良好的散热性能,能够满足多种工业和消费类电子产品的应用需求。
型号:PBHV8540T
类型:P沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):-80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏电流(Id):-4.8A
最大脉冲漏电流(Ip):-13A
导通电阻(Rds(on)):100mΩ (在 Vgs=-10V 时)
栅极电荷(Qg):9nC
总电容(Ciss):1640pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装:TO-252(DPAK)
PBHV8540T 的主要特点包括:
1. 高耐压能力:支持高达 -80V 的漏源电压,适用于需要高可靠性的电路设计。
2. 低导通电阻:Rds(on) 仅为 100mΩ,有效降低传导损耗,提高效率。
3. 快速开关性能:较小的栅极电荷 Qg(9nC)确保了快速的开关速度,减少开关损耗。
4. 热稳定性强:工作温度范围宽广(-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下稳定运行。
5. 小型化封装:TO-252(DPAK) 封装既节省空间又具备良好散热特性。
6. 高可靠性:通过了严格的电气和机械测试,确保长期使用中的稳定性和耐用性。
PBHV8540T 广泛用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和高频开关应用。
2. DC-DC 转换器中的降压或升压电路。
3. 电机驱动控制,例如无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
4. 汽车电子系统,如电池管理、负载切换及保护电路。
5. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换。
6. 消费类电子产品中的充电电路和负载开关。
7. LED 驱动器中的电流调节和调光控制。
PBHV8540L, PBHV8540N