PHB20NQ20T,118 时间：2025/9/14 2:40:40 阅读：13

PHB20NQ20T,118 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率开关和电源管理应用。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适合用于电源转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A
　　漏极-源极电压（VDS）：200V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大0.085Ω（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　工艺技术：TrenchFET

特性

PHB20NQ20T,118 采用TrenchFET技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定的性能，具有良好的热稳定性。此外，该MOSFET具有较高的耐用性和可靠性，适用于工业级和汽车级应用。其栅极设计优化了开关速度，减少了开关损耗，同时具备较强的抗过载能力。器件的封装形式为TO-220AB，便于安装和散热管理，适用于各种功率电子设备。
　　该MOSFET的高耐压能力（200V）使其能够在高压系统中稳定运行，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。同时，其±20V的栅极-源极电压允许在较宽的控制范围内操作，增强了系统的灵活性。PHB20NQ20T,118还具有良好的抗静电能力，避免了在操作过程中因静电放电导致的损坏。

应用

PHB20NQ20T,118 主要应用于各种功率电子系统中，例如电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源）、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。它也常用于汽车电子设备、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和LED照明驱动电路中。在这些应用中，该MOSFET可提供高效的功率开关功能，同时保持良好的热管理和可靠性。