时间：2025/4/27 18:55:12
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DMN2040LTS 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用超小型 SOT-23 封装，适用于需要高开关速度和低导通电阻的应用场景。该器件在低电压驱动条件下表现出优异的性能，广泛应用于便携式设备、消费类电子和工业控制领域。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.9A
导通电阻：0.85Ω
总功耗：360mW
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
DMN2040LTS 具有以下显著特性：
1. 超低导通电阻，在典型条件下的 Rds(on) 为 0.85Ω，能够有效降低功率损耗。
2. 支持低至 2.5V 的逻辑电平驱动，适合锂电池供电的便携式应用。
3. 快速开关能力，有助于减少开关损耗并提升效率。
4. 高度紧凑的 SOT-23 封装设计，节省 PCB 空间。
5. 提供出色的热稳定性和可靠性，可承受高达 150℃ 的结温。
DMN2040LTS 广泛用于以下应用场景：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池供电设备的负载开关。
3. 消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
4. 工业自动化系统中的保护电路和接口控制。
5. LED 驱动器和背光控制模块。
DMN2040UTR, BSS138, BS170
