类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：共阴极
　　封装：SOT-23
　　最大重复反向电压（VRRM）：30 V
　　最大直流反向电压（VR）：30 V
　　最大有效值电压（VRMS）：21 V
　　最大直流正向电流（IF）：300 mA
　　每二极管最大峰值浪涌电流（IFSM）：1.5 A
　　最大正向电压（VF）：450 mV（在150 mA条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：300 μA（在25°C，25 V条件下）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻（RθJA）：350 K/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值为 1 ns

VS12MB的核心优势在于其采用了肖特基势垒技术，这种结构利用金属与半导体之间的势垒形成整流效应，从而实现了非常低的正向导通压降。在典型工作电流150mA下，其正向压降仅为450mV左右，远低于传统PN结二极管的0.7V~1.0V。这一特性显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备和对能效要求较高的系统。此外，由于肖特基二极管是多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此其反向恢复时间极短，典型值仅为1ns，这使得VS12MB能够在高频开关环境中可靠运行，避免了因反向恢复引起的开关尖峰和电磁干扰问题。
　　该器件的共阴极配置允许两个阳极共享一个公共阴极端子，非常适合用于双路输入保护、电压选择或双通道信号整流的应用场景。例如，在双电源系统中，可以使用VS12MB实现电源冗余或自动切换功能。SOT-23小型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还便于自动化装配，提升了生产效率。VS12MB具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，其最大工作结温可达125°C，确保在恶劣工况下的长期可靠性。所有材料均符合RoHS指令要求，无铅且环保，满足现代电子产品对绿色制造的需求。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环试验，保证了在各种应用场景下的耐用性。

VS12MB广泛应用于需要高效、小型化和高可靠性的电子系统中。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，常用于电池充电路径的防反接保护、多电源输入选择以及DC-DC转换器中的同步整流辅助电路。在通信模块中，可用于射频信号检波、天线接口保护和瞬态电压抑制。工业控制领域中，VS12MB适用于传感器信号调理电路中的钳位和隔离功能，防止过压损坏敏感元件。此外，在USB接口、I/O端口和数据线路中，它可作为ESD保护和极性容错元件，提升系统的鲁棒性。在LED驱动电路中，也可用作防止反向电压损害LED的保护二极管。由于其快速响应特性，VS12MB还能用于高频脉冲整流和采样保持电路中，确保信号完整性。在低电压、低功耗嵌入式系统中，其低VF特性有助于减少静态功耗，延长电池续航时间。总之，凡是在紧凑空间内需要双通道肖特基整流或保护功能的场合，VS12MB都是一个理想的选择。

BAT54S, PMDS3, NSPW3096N, RB751S-40