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DMN2028USS-13 发布时间 时间:2025/8/2 8:01:18 查看 阅读:19

DMN2028USS-13是一款由Diodes公司生产的双极性晶体管(BJT),具有高性能和可靠性,适用于多种电子电路设计。该晶体管采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,广泛用于信号放大、开关控制等应用场景。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):200mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-23

特性

DMN2028USS-13作为一款NPN型晶体管,具有优异的电流放大能力和稳定的开关性能。其电流增益(hFE)在不同测试条件下可以达到110至800的范围,这使得该晶体管能够适应多种放大电路设计的需求。此外,DMN2028USS-13的最大集电极电流为200mA,能够在较高负载条件下稳定工作,适用于需要中等功率处理能力的电路。
  该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,表现出良好的热稳定性和环境适应性,适合在各种工业和消费电子产品中使用。SOT-23封装形式不仅减小了PCB的占用空间,还提高了组装效率,适合高密度电路板设计。
  在高频应用中,DMN2028USS-13也表现出色,其过渡频率(fT)可达100MHz以上,能够满足大多数射频和中频放大器的设计需求。晶体管的快速开关特性和低饱和压降进一步提升了其在数字开关电路中的表现。

应用

DMN2028USS-13适用于多种电子电路应用,包括音频放大器、信号放大器、开关电路、数字逻辑电路、驱动电路等。其高可靠性和宽工作温度范围使其在汽车电子、工业控制、通信设备和消费类电子产品中得到了广泛应用。

替代型号

2N3904, BC547, 2N2222

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DMN2028USS-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 9.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 10V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN2028USS-13DITR