时间：2025/5/24 13:14:02
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DMN2028USS-13-F是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET。该器件采用微型DFN封装，适用于空间受限的应用场合。它具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合于高效能电源管理、负载开关和便携式电子设备中的应用。
该型号属于Diodes公司的小信号MOSFET系列，专为优化性能与紧凑性而设计，能够在高频和低功耗条件下提供稳定的运行表现。
最大漏源电压Vds：30V
最大栅源电压Vgs：±8V
连续漏极电流Id：2.4A
导通电阻Rds(on)（在Vgs=4.5V时）：65mΩ
导通电阻Rds(on)（在Vgs=10V时）：47mΩ
总栅极电荷Qg：5nC
开关时间：典型开启时间为9ns，典型关断时间为5ns
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：DFN1010-3
低导通电阻，能够有效降低传导损耗。
具备快速开关能力，支持高频操作，减少开关损耗。
微型DFN封装，节省PCB空间，适合小型化设计需求。
出色的热稳定性，在宽温度范围内提供一致的性能表现。
符合RoHS标准，绿色环保。
内置反向隔离二极管，有助于防止电路中的电流倒流现象。
高可靠性设计，确保长时间稳定运行。
适用于消费类电子产品中的负载开关应用。
可用于便携式设备中的电源管理模块。
适合电池供电设备中的高效能DC-DC转换器设计。
广泛应用于通信设备、计算机外设及工业控制等领域的开关电源电路。
作为功率级开关元件，用于LED驱动和其他需要低功耗和高效率的场景。
DMN2029USS-13-F
DMN2028UFCE-13
BSS138
AO3402
