您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PDTC124EQAZ

PDTC124EQAZ 发布时间 时间:2025/9/13 20:57:42 查看 阅读:17

PDTC124EQAZ是一款由Nexperia(安世半导体)推出的NPN型晶体管,采用SOT-323(也称为SC-70)小型表面贴装封装。该晶体管适用于低功率开关和数字电路中的应用,具有较高的开关速度和较低的饱和电压,适合在各种电子设备中使用,尤其是在需要小型化设计的便携式设备中。PDTC124EQAZ的基极内置一个10kΩ的上拉电阻,简化了电路设计,使其成为逻辑接口和驱动电路的理想选择。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  功耗(Ptot):200mW
  频率(fT):100MHz
  直流电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)

特性

PDTC124EQAZ晶体管具备多个优良特性,使其在数字和模拟电路中具有广泛的应用前景。首先,该器件的内置10kΩ基极上拉电阻使得其在逻辑接口应用中无需额外的偏置电路,简化了PCB布局并降低了设计复杂度。其次,该晶体管的集电极-发射极击穿电压为50V,可承受较高的电压应力,适用于多种中等电压应用场景。此外,其最大集电极电流为100mA,足以驱动小型继电器、LED指示灯以及低功耗MOSFET等外围元件。在高频性能方面,PDTC124EQAZ具有100MHz的过渡频率(fT),支持高速开关操作,适合用于脉宽调制(PWM)控制或数字信号放大。该晶体管的hFE(直流电流增益)范围为110至800,具有良好的线性放大能力,同时其饱和电压(VCE(sat))较低,通常小于0.2V(在IC=100mA时),有助于降低功耗并提高效率。SOT-323封装体积小巧,便于在空间受限的设计中使用,并支持自动贴片工艺,提升了生产效率。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且无卤素,满足现代电子设备对环保材料的要求。

应用

PDTC124EQAZ晶体管广泛应用于各种电子系统中,尤其适合于需要小型化和高效能的场合。在数字电路中,该晶体管常用作逻辑电平转换、缓冲器或反相器,其内置的基极电阻可直接与微控制器或逻辑门连接,简化了外围电路设计。在电源管理方面,该器件可用于负载开关、LED驱动或低功率DC-DC转换器中的控制元件。此外,PDTC124EQAZ也适用于传感器接口电路,如驱动光电传感器、温度传感器或其他模拟信号采集模块的开关控制。在通信设备中,该晶体管可用于射频(RF)前端的开关控制或数据线路的缓冲放大。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、穿戴设备等常使用该器件作为低功耗控制开关或信号路由元件。工业自动化设备、测试仪器和嵌入式系统中也常见该晶体管的身影,用于实现继电器驱动、继电逻辑控制或电机控制电路中的低侧开关。

替代型号

BC847N, 2N3904, MMBT3904, PN2222A

PDTC124EQAZ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PDTC124EQAZ参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格5,000 : ¥0.39796卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)22 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)22 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 5mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁230 MHz
  • 功率 - 最大值280 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装DFN1010D-3