时间：2025/9/2 14:19:57
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BSS138N-T1-PF 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于低电压和便携式设备中的开关电路和逻辑电平转换。该器件采用小型SOT-23封装，适合高密度电路设计，并提供良好的热稳定性和高频性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：225mA
工作温度范围：-55°C至150°C
导通电阻(Rds(on))：约3Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：300mW
封装形式：SOT-23
BSS138N-T1-PF具备低导通电阻，确保在小电流应用中具有较低的功率损耗，提高系统效率。
其高栅极击穿电压（±20V）增强了器件在不同工作条件下的稳定性与可靠性。
该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频操作和高速逻辑电平转换场景。
采用SOT-23封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用，例如便携式电子设备、智能手机和穿戴设备等。
该器件符合RoHS环保标准，适用于无铅生产工艺，满足现代电子产品对环保材料的要求。
BSS138N-T1-PF 常用于低功耗开关电路、数字逻辑电路中的电平转换、LED驱动控制、电池供电设备中的负载开关以及各种小信号放大和控制应用。
由于其优异的高频响应和小型封装，特别适合在便携式消费电子产品、工业控制设备和通信模块中作为通用MOSFET使用。
2N7002, FDN335N, NDS355AN, 2N3904
