时间：2025/8/2 5:53:08
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DMN2028UFDF-7是一款由Diodes公司制造的双N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效功率管理和开关应用的电子设备中。这款MOSFET采用先进的Trench MOS工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池供电设备等多种应用领域。DMN2028UFDF-7的封装形式为UDFN（Ultra Thin Dual Flat No-lead），尺寸紧凑，适合空间受限的设计。其双N沟道结构使其能够在单个封装中提供两个独立的MOSFET器件，从而简化电路设计并减少PCB占用空间。
类型：MOSFET（双N沟道）
最大漏极电流（ID）：4.8A（单个通道）
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(ON)）：12.5mΩ（典型值，VGS=4.5V）
栅极电荷（Qg）：1.8nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：UDFN（1.2mm x 1.6mm，0.5mm引脚间距）
DMN2028UFDF-7具有多项优异的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件具有高开关速度，能够快速响应控制信号，适用于高频开关应用。此外，DMN2028UFDF-7的封装设计提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下也能保持稳定工作温度。该MOSFET还具备良好的耐压能力，漏极-源极击穿电压高达20V，适合多种电压等级的应用场景。由于采用先进的Trench MOS工艺，DMN2028UFDF-7在性能和尺寸之间实现了良好的平衡，满足现代电子产品对小型化和高性能的需求。
DMN2028UFDF-7广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统中的负载开关和DC-DC转换器、电池供电设备中的功率控制、电机驱动电路中的高速开关、工业自动化设备中的控制模块，以及消费类电子产品中的电源管理单元。其紧凑的封装和高性能特性使其成为便携式设备和高密度PCB设计的理想选择。
SI2302DS-T1-GE3, FDMC8008, BSS138K
