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BSS215PH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/4/30 18:35:09 查看 阅读:27

BSS215PH6327XTSA1 是一款基于硅材料的N沟道增强型小信号MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。该器件通常用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用中,例如负载开关、电池保护电路、电源管理以及便携式电子设备中的功率转换。由于其紧凑的封装形式(SOT-23),它非常适合空间受限的设计环境。
  BSS215 系列以其优异的电气性能和可靠性而著称,同时具有较低的导通电阻 (Rds(on)) 和良好的热稳定性。这使得该元件在高效率和低功耗设计中表现尤为突出。

参数

最大漏源电压(Vds):40V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  最大漏极电流(Id):0.29A
  导通电阻(Rds(on)):3.5Ω
  总功耗(Ptot):420mW
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +150℃
  封装类型:SOT-23

特性

BSS215PH6327XTSA1 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以显著降低功率损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速开关速度和低输入电容使其非常适合高频开关应用。
  3. 小巧的 SOT-23 封装允许在有限的空间内实现复杂的电路设计。
  4. 较宽的工作温度范围确保了该元件能够在各种环境下稳定运行。
  5. 内置的 ESD 保护提高了产品的耐用性和抗干扰能力。
  6. 高可靠性和长寿命使其成为消费电子、工业控制等领域的理想选择。

应用

BSS215PH6327XTSA1 广泛应用于以下场景:
  1. 负载开关和电池保护电路。
  2. 电源管理和 DC-DC 转换器。
  3. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
  4. 消费类电子产品中的信号切换。
  5. 工业自动化设备中的小型电机驱动。
  6. 便携式设备中的高效功率转换。
  7. 各种低压、低功耗应用场景下的开关和保护功能。

替代型号

BSS138, AO3400, SI2302DS

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BSS215PH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.42000剪切带(CT)3,000 : ¥0.96411卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 1.5A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)3.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)346 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3