2R075TB-8 时间：2025/8/30 17:06:49 阅读：8

2R075TB-8 是一款由 Renesas Electronics 推出的 N 沟道功率 MOSFET，适用于高电流和高频率应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-220AB，便于散热并适合多种电路设计环境。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：75 V
　　最大栅源电压 Vgs：±20 V
　　最大连续漏极电流 Id：200 A
　　导通电阻 Rds(on)：典型值为 1.75 mΩ
　　最大功耗：200 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

2R075TB-8 的核心特性在于其低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 结构，优化了电流传导路径，从而实现了更高的电流承载能力和更低的导通损耗。此外，其高栅极电压容限（±20V）增强了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其 TO-220AB 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，适用于高功率密度设计。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和马达驱动器。
　　由于其高耐用性和稳定性，2R075TB-8 在汽车电子、工业控制和电源系统中广泛应用。该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计。