DMN2009LSS-13-F 时间：2025/7/8 17:51:56 阅读：12

DMN2009LSS-13-F 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化的 SOT26 封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性。它广泛适用于需要高效功率转换和开关控制的应用场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及便携式电子设备中的电源管理电路。
　　由于其封装紧凑且电气性能优越，DMN2009LSS-13-F 成为许多设计工程师在空间受限或高性能要求应用中的理想选择。

参数

型号：DMN2009LSS-13-F
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：40V
　　RDS(on)（导通电阻，典型值）：25mΩ
　　ID（连续漏极电流）：7.8A
　　VGS(th)（阈值电压）：1.8V
　　栅极电荷：10nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装：SOT26

特性

DMN2009LSS-13-F 提供了多种显著的性能优势：
　　1. 极低的导通电阻 RDS(on)，仅为 25mΩ，这使得该器件能够在高效率下运行，减少功率损耗。
　　2. 支持宽范围的逻辑电平输入，VGS(th) 阈值电压仅为 1.8V，确保与低压逻辑电路的兼容性。
　　3. 快速开关特性，栅极电荷仅 10nC，适合高频应用。
　　4. 紧凑型 SOT26 封装，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热能力。
　　5. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种严苛环境条件。
　　6. 高可靠性设计，符合 AEC-Q101 标准（如果用于汽车级版本），保证长期稳定运行。

应用

DMN2009LSS-13-F 可应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和降压/升压转换设备中的负载开关和保护电路。
　　3. 电机驱动器中的功率控制。
　　4. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理。
　　5. LED 驱动器中的恒流控制。
　　6. 数据通信接口的 ESD 保护和信号切换。