类型：P沟道
　　配置：单通道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-0.8A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-1.6A
　　导通电阻(RDS(ON))：68mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(ON))：95mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压(Vth)：-0.7V ~ -1.2V
　　输入电容(Ciss)：135pF @ VDS = 10V
　　反向恢复时间(trr)：12ns
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　功率耗散(PD)：350mW

DMN2004DMK-7采用先进的TrenchFET工艺制造，这种结构通过优化沟道密度和降低寄生效应显著提升了器件的性能表现。其核心优势之一是极低的导通电阻，即使在较低的栅极驱动电压下也能保持较高的导电效率，这对于现代低压、低功耗系统尤为重要。例如，在便携式消费电子产品如智能手机、蓝牙耳机或可穿戴设备中，电源管理必须兼顾小型化与高能效，而该MOSFET正好满足这些需求。其RDS(ON)在-4.5V条件下仅为68mΩ，意味着在传输相同电流时产生的焦耳热更少，从而减少了散热设计的复杂度，并有助于延长电池续航时间。
　　另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较小的输入电容（Ciss=135pF）和优化的栅极设计，DMN2004DMK-7能够实现纳秒级的开关转换，适用于高频开关电源或信号切换场景。这不仅提高了系统的动态响应速度，还降低了开关损耗，进一步提升了整体能效。同时，该器件具备良好的热稳定性，在结温达到+150℃时仍能可靠工作，适合在高温环境下运行。此外，其额定雪崩能量能力表明该MOSFET在遭遇电压瞬变或感性负载断开等异常情况时具有一定的自我保护能力，增强了系统的安全性。
　　器件的SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.2mm×1.3mm），而且引脚排列标准，易于进行自动化贴片生产和回流焊处理，有利于大规模制造。该封装还提供了较好的热传导路径，结合PCB上的适当铜箔布局，可以有效将热量散发出去。值得一提的是，DMN2004DMK-7符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于对环境要求严格的工业和消费类应用。综合来看，这款P沟道MOSFET以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多低电压功率控制应用的理想选择。

DMN2004DMK-7广泛应用于需要小型化、低功耗和高效率的电子系统中。典型用途包括便携式电子设备中的电源开关和电池管理模块，例如在移动电话、平板电脑和智能手表中用于控制不同功能模块的上电时序或实现待机模式下的电源切断，以降低静态功耗。它也常被用作负载开关，在微控制器输出无法直接驱动较大电流负载时，作为中间驱动级来控制LED背光、传感器模块或无线通信芯片的供电通断。
　　在DC-DC转换器电路中，DMN2004DMK-7可用于同步整流或高端开关配置，尤其是在基于P沟道架构的降压变换器中，简化了驱动电路的设计，无需额外的自举电路即可实现有效的开关控制。此外，该器件适用于各类信号路由和电平转换应用，例如在数字逻辑接口之间进行方向控制或隔离不同电压域的信号传输。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于继电器驱动、电机控制的小信号开关部分或I/O端口保护电路。由于其具备一定的抗静电放电（ESD）能力和稳定的温度特性，因此在较为恶劣的工作环境中也能保持稳定运行。另外，在音频设备或精密测量仪器中，可用作模拟开关的一部分，用于切换输入通道或校准路径。总之，凡是需要一个小型、高效且可靠的P沟道功率开关的地方，DMN2004DMK-7都是一个极具竞争力的选择。

DMG2004UK-7
　　DMP2004UFG-7
　　FDN340P
　　FDC630P