时间：2025/12/28 18:21:05
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IS62WV10248BLL是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为1Mbit（128K x 8）。该芯片采用高性能CMOS工艺制造，具有低功信低功耗的特点，适用于需要高速数据访问和可靠存储的应用场景。IS62WV10248BLL通常被用于通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等领域。
类型：静态RAM（SRAM）
容量：1Mbit（128K x 8）
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：55ns、70ns、10ns可选
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
读取电流（最大）：160mA（在10ns访问时间下）
待机电流（最大）：10mA
数据保持电流：10mA（典型值）
输入/输出逻辑电平：TTL兼容
封装尺寸：54-TSOP（标准）
IS62WV10248BLL具备高速访问能力和低功耗设计，适合各种高性能嵌入式系统应用。其异步接口设计简化了与微处理器或控制器的连接，无需复杂的时序控制电路。该芯片支持TTL电平输入，兼容多种主控芯片的接口标准，提高了设计的灵活性。此外，IS62WV10248BLL具有宽电压范围（2.3V至3.6V），可在多种电源环境下稳定运行，适用于电池供电设备和工业控制系统。
该SRAM芯片采用CMOS工艺制造，具备高可靠性和长寿命，能够适应严苛的工作环境。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，提高系统的集成度。IS62WV10248BLL在待机模式下仅消耗极低的电流，有助于延长设备的电池寿命。在数据保持模式下，仍能保持稳定的存储状态，确保数据的完整性。
IS62WV10248BLL还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于工业和通信领域的关键应用。其高速访问时间（最快可达55ns）确保了系统运行的高效性，降低了数据处理延迟。此外，该芯片的封装设计符合RoHS环保标准，适合现代电子设备的绿色制造需求。
IS62WV10248BLL广泛应用于需要高速、低功耗SRAM存储方案的嵌入式系统中。例如，它可用于工业自动化控制系统中的数据缓存，网络设备中的路由表存储，通信模块中的临时数据存储，以及测试仪器和医疗设备中的快速数据处理等场景。此外，该芯片也适用于手持式设备、智能卡读写器、安防系统和汽车电子系统等需要高可靠性存储解决方案的领域。
IS62WV10248GLBLLA, CY62148EVLL, IDT71V416SA, AS7C31025C
