型号：DMN10H220LK3-13
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-723
　　供应商：Diodes Incorporated
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：220mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：280mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻RDS(on)：350mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.2V
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS = 10V
　　输出电容（Coss）：230pF @ VDS = 10V
　　栅极电荷（Qg）：4.5nC @ VGS = -10V
　　功率耗散（Pd）：500mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

DMN10H220LK3-13采用了先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够在微小的芯片面积上实现更低的导通电阻和更高的电流密度，从而显著提升器件的整体性能。该MOSFET的RDS(on)在-4.5V的栅极驱动电压下仅为220mΩ，即使在较低的-2.5V或-1.8V驱动条件下也能保持较低的导通阻抗，这使其非常适合用于低压逻辑控制的应用场合，例如由3.3V或1.8V电源直接驱动的开关电路。这种低阈值特性减少了对外部电平转换电路的需求，简化了系统设计并降低了成本。
　　TrenchFET技术还带来了优异的开关特性，包括快速的上升和下降时间以及较低的栅极电荷（Qg仅为4.5nC）。这些特性共同作用，使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少动态损耗，提高电源转换效率。同时，其较小的输入电容（Ciss=220pF）和输出电容（Coss=230pF）也有助于减小驱动电路的负担，进一步优化系统的响应速度和能效表现。
　　该器件的SOT-723封装是一种超小型表面贴装封装，尺寸仅为2mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省了PCB布局空间，特别适合高度集成的移动设备和紧凑型模块使用。尽管体积小巧，但其热设计仍经过优化，能够在有限的散热条件下稳定工作。器件的最大功率耗散为500mW，结合良好的PCB布局设计（如增加铜箔面积作为散热路径），可以实现可靠的长期运行。
　　此外，DMN10H220LK3-13具备良好的热稳定性与可靠性，工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在恶劣环境条件下正常工作。其内置的体二极管也提供了反向电流保护功能，在某些拓扑结构中可省去外部分立二极管，进一步节省成本与空间。总体而言，这款P沟道MOSFET凭借其低导通电阻、小封装尺寸、优良的开关特性和高可靠性，成为现代便携式电子设备中理想的功率开关解决方案之一。

DMN10H220LK3-13广泛应用于各类需要高效、小型化电源管理解决方案的便携式电子设备中。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源路径控制，用于在主电源与备用电源之间进行无缝切换，或在系统休眠时切断非关键负载以降低待机功耗。此外，它常被用作负载开关，控制LCD背光、摄像头模组、Wi-Fi模块等功能单元的供电通断，从而实现精细化的电源管理策略，延长设备续航时间。
　　在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环等产品中，由于对空间和能耗要求极为严格，DMN10H220LK3-13的小尺寸封装和低静态电流特性使其成为理想选择。它可以用于开启/关闭传感器、蓝牙无线模块或其他间歇性工作的外围设备，确保仅在需要时才提供电力，最大限度地节约能量。
　　该器件也可用于各类消费类电子产品中的信号切换和电平转换电路，尤其是在单电源系统中作为P沟道开关来替代机械继电器或更复杂的模拟开关IC。由于其支持-1.8V以上的逻辑电平驱动，能够与现代低电压数字控制器（如MCU、FPGA或SoC）直接接口，无需额外的电平移位器，简化了电路设计。
　　除此之外，DMN10H220LK3-13还可应用于USB端口的过流保护与电源隔离、小型电机驱动电路中的低端开关、以及各类电池供电的IoT节点设备中。其高可靠性和符合工业标准的封装形式，也使其适用于工业传感模块、便携式医疗设备和智能家居终端等对长期稳定性有要求的领域。

DMG10H220LFG-7
　　DMP10H220LG-7
　　Si3456EDV