时间：2025/7/8 20:12:10
阅读：15
DMN10H170SK3-13是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用先进的制造工艺，旨在提供高效率和可靠性，适用于各种电源管理和开关应用。其出色的导通电阻和快速开关特性使其成为便携式设备、消费类电子产品及工业控制的理想选择。
这款MOSFET采用了SOIC-8封装形式，具有较小的体积和良好的散热性能，便于在紧凑型设计中使用。同时，它支持较高的工作电压，并具备低导通电阻的特点，从而减少了功率损耗并提升了整体系统效率。
最大漏源电压(Vds)：170V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：10A
导通电阻(Rds(on))：1.4Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：25nC
总功耗(Ptot)：16W
工作温度范围：-55℃至+175℃
DMN10H170SK3-13的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：最大漏源电压为170V，能够适应高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型栅极驱动条件下，Rds(on)仅为1.4Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能：极低的栅极电荷使其适合高频开关应用。
4. 小巧封装：SOIC-8封装节省空间，便于PCB布局。
5. 宽温工作范围：能够在-55℃至+175℃的极端温度环境下稳定运行。
6. 高可靠性：通过了严格的电气和环境测试，确保长期使用的稳定性。
DMN10H170SK3-13广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
5. 消费类电子产品的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动电路。
DMN10H170S, DMN10H170SK3
