2SJ553STL是一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于功率控制和开关电路中。该器件封装在SOT-223(也称为SC-73)小型表面贴装封装中,适用于紧凑型设计。作为一款P沟道MOSFET,2SJ553STL在关断状态下需要较低的栅极电压,因此在高侧开关应用中表现良好。该器件设计用于高可靠性应用,具有良好的导通电阻和电流承载能力。
类型:P沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):-100mA
最大漏-源电压(VDS):-50V
最大栅-源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):约50Ω(典型值)
栅极电荷(Qg):约5nC
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装:SOT-223
2SJ553STL具备多个关键特性,使其适用于多种电子应用。首先,其低漏极电流和中等耐压能力适合用于小功率开关和信号控制电路。其次,该器件具有相对较低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。此外,P沟道结构使其在高侧开关配置中使用时不需要额外的升压电路来驱动栅极,简化了电路设计。SOT-223封装不仅节省空间,还提供了良好的散热性能,适合表面贴装工艺。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,在工业和消费类电子产品中均有广泛应用。
2SJ553STL常用于以下应用场景:电源管理电路中的高侧开关、LED驱动控制电路、小型电机控制、电池供电设备中的负载开关、信号路由和电平转换电路、汽车电子系统中的辅助控制模块以及消费类电子产品的功率控制电路。
2SJ162, 2SJ306, 2SJ551, 2SJ552