IR2E68Y6 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的功率晶体管驱动器集成电路,广泛用于电源管理和电机控制等高功率电子系统中。该器件采用先进的高压集成电路(HVIC)技术,能够直接驱动高压侧和低压侧功率开关器件,例如 MOSFET 或 IGBT,适用于半桥、全桥及多相逆变器拓扑结构。IR2E68Y6 的封装设计支持高绝缘耐压,常用于工业自动化、电动车驱动、可再生能源系统以及家用电器中。
工作电压(VCC):15V 至 20V
高压侧电压(VS):最高可达 600V
输出驱动电流:典型值 ±0.25A(峰值 ±0.5A)
输入逻辑电平兼容:3.3V、5V 和 15V
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装形式:SOIC-16(IR2E68Y6)
绝缘耐压:1500Vrms(根据封装版本)
IR2E68Y6 是一款具备高集成度和高性能的高压栅极驱动器芯片,广泛应用于功率电子变换器中。该芯片采用了英飞凌先进的高压集成电路(HVIC)技术,能够在高电压环境中稳定运行,并有效隔离高低压部分,提升系统安全性。
首先,IR2E68Y6 支持高压侧和低压侧双通道栅极驱动功能,非常适合用于半桥结构的功率变换器。其高压侧能够承受高达 600V 的电压,适用于诸如 IGBT 或功率 MOSFET 的开关控制。这种能力使得 IR2E68Y6 能够在诸如电机控制、逆变器、DC-DC 转换器等高功率应用中稳定工作。
其次,该芯片的输入信号兼容多种电压标准,包括 3.3V、5V 和 15V 逻辑电平,使得它能够与各种微控制器、DSP 或 FPGA 控制器无缝对接,提高了设计的灵活性。此外,IR2E68Y6 具备良好的抗干扰能力,在高 dv/dt 环境下依然能够稳定工作,降低了因电磁干扰(EMI)引起的误触发风险。
在驱动能力方面,IR2E68Y6 的每个通道可提供高达 ±0.5A 的峰值输出电流,确保功率器件能够快速开通和关断,从而减少开关损耗并提升系统效率。其输出具有欠压锁定(UVLO)保护功能,当供电电压低于安全阈值时,输出将自动关闭,以防止功率器件在非正常电压下运行,提高系统可靠性。
IR2E68Y6 采用 SOIC-16 封装,具备良好的散热性能和绝缘能力。其工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,适用于工业级应用环境。此外,该芯片具备内部死区时间控制,防止上下桥臂同时导通,避免直通短路的发生。
综合来看,IR2E68Y6 是一款性能优异、功能齐全的栅极驱动器,广泛适用于各种中高功率电子系统。其高耐压、高驱动能力、宽输入兼容性以及内置保护机制,使其成为工业电源、电机驱动、太阳能逆变器和家电控制等应用的理想选择。
IR2E68Y6 主要用于需要高压栅极驱动能力的电力电子系统中。常见应用包括交流电机驱动器、直流无刷电机控制器、工业变频器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动车充电器以及智能家电中的功率控制模块。该芯片适用于需要半桥或全桥拓扑结构的系统,能够有效驱动 IGBT 或功率 MOSFET,实现高效、稳定的功率转换和控制。
IRS2001、IR2110、LM5112、TC4420、FAN7382