时间：2025/12/26 12:29:00
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DMN10H120SFG-7是一款由Diodes Incorporated生产的高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率和高密度电源管理应用而设计。该器件封装在较小的PowerDI5060-6L封装中，具有优异的热性能和电气性能，适用于空间受限但对功耗和散热有严格要求的应用场景。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度以及良好的栅极电荷特性，使其在DC-DC转换器、同步整流、电机驱动和负载开关等应用中表现出色。该MOSFET的工作结温范围宽，可达-55°C至+150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。此外，它符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其高电压阻断能力和较强的电流处理能力，DMN10H120SFG-7广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子及便携式电源系统中。
型号：DMN10H120SFG-7
制造商：Diodes Incorporated
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：120 V
最大连续漏极电流（ID）：9.4 A @ TC = 25°C
最大脉冲漏极电流（IDM）：37.6 A
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻RDS(on) max：10.5 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻RDS(on) max：13 mΩ @ VGS = 4.5 V
阈值电压（VGS(th)）：2.3 V（典型值）
栅极电荷（Qg）：18 nC @ VGS = 10 V
输入电容（Ciss）：1120 pF @ VDS = 60 V
反向恢复时间（trr）：24 ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：PowerDI5060-6L
安装方式：表面贴装（SMD）
DMN10H120SFG-7采用先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其RDS(on)低至10.5mΩ（在VGS=10V时），有效降低了导通损耗，提高了整体系统效率，尤其适合用于大电流开关电源设计中。该器件具有较低的栅极电荷（Qg=18nC），减少了驱动电路的能量消耗并加快了开关速度，从而显著降低开关过程中的动态损耗，提升高频工作条件下的能效表现。
该MOSFET具备出色的热稳定性与可靠性，在高功率密度应用中仍能维持稳定的性能输出。其PowerDI5060-6L封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，使结到外壳的热阻（RθJC）更低，有助于将热量快速传导至PCB，提高长期工作的安全性与寿命。此外，该封装支持双面散热，进一步增强了热管理能力。
器件的雪崩能量承受能力强，具备一定的抗过压冲击能力，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。内置体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=24ns），可减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，特别适用于同步整流拓扑结构中作为续流路径使用。同时，其阈值电压适中（约2.3V），可在多种逻辑电平下可靠开启，兼容3.3V或5V驱动信号。
该MOSFET还通过了AEC-Q101可靠性认证（尽管主要用于工业级应用），表明其在温度循环、湿度、机械应力等方面具备优良的耐受能力。此外，产品符合RoHS指令和无卤素要求，适应全球环保法规趋势，适用于对环境友好性有严格要求的设计项目。总体而言，DMN10H120SFG-7是一款集高性能、高可靠性与绿色制造于一体的先进功率MOSFET器件。
DMN10H120SFG-7广泛应用于各类中高功率电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压变换器（Buck Converter），其中多个此类MOSFET可并联使用以实现更高电流输出，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率。在服务器电源、笔记本电脑适配器、电信整流模块等设备中，它常被用作主开关管或同步整流管。
该器件也适用于电机驱动电路，如无人机电调、电动工具控制器和小型机器人驱动模块，能够高效地控制直流电机或步进电机的启停与转速调节。由于其响应速度快且导通损耗小，有助于延长电池续航时间。
在LED照明驱动电源中，DMN10H120SFG-7可用于恒流控制回路中的开关元件，确保LED稳定发光的同时减少发热问题。此外，它还可作为高端或低端负载开关，用于电源路径管理、热插拔控制或电池保护电路中，提供快速切断功能以防止短路损坏下游电路。
其他应用还包括工业自动化控制系统、便携式医疗设备、USB PD快充电源板以及太阳能微型逆变器等新兴领域。凭借其紧凑的封装尺寸和强大的电气性能，该MOSFET非常适合追求小型化与高效化的现代电子设计需求。
DMN10H120SEF-7
AOZ6311PQI-02
