产品类型：P沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-30V
　　最大连续漏极电流(ID)：-2.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V, ID = -2.8A；65mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -2.8A
　　栅源阈值电压(VGS(th))：典型值-1.0V，范围-0.7V至-1.5V
　　输入电容(Ciss)：约350pF @ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
　　输出电容(Coss)：约170pF @ VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz
　　反向恢复时间(trr)：非常短，适合高频开关应用
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOT-23-6

DMP3028LFDE-13采用先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，这对于提高功率转换效率至关重要。当工作于-10V的栅极驱动电压时，其导通电阻仅为45毫欧姆，而在更常见的-4.5V逻辑电平驱动下也能达到65毫欧姆的低阻值，这意味着即使是在较低的驱动电压条件下，该MOSFET也能够提供出色的导电性能，有效降低功耗并减少发热问题。这样的特性对于那些对能耗敏感的应用来说尤为重要，比如移动通信设备、笔记本电脑和其他便携式电子装置。
　　除了优异的导通特性外，DMP3028LFDE-13还拥有快速的开关速度，这得益于其较小的输入和输出电容。这些电容参数不仅影响着器件本身的开关损耗，而且还会间接地影响到整个系统的电磁兼容性(EMC)表现。通过优化内部结构设计，制造商成功地将Ciss控制在大约350皮法拉，而Coss则为170皮法拉左右，这样的数值保证了即使在高频操作环境下，也能实现迅速且干净利落的开关动作，减少了不必要的能量损失。
　　另一个值得注意的特点是其宽泛的工作温度范围，从-55摄氏度到+150摄氏度，表明了这款MOSFET可以在极端环境下稳定运行。无论是寒冷地区的户外设备还是高温工业环境中使用的仪器仪表，DMP3028LFDE-13都能够胜任。同时，它的存储温度同样覆盖了相同的区间，进一步增强了产品的适用性和可靠性。
　　此外，考虑到实际应用中可能遇到的各种情况，DMP3028LFDE-13被设计成可以直接由标准逻辑电平信号驱动，无需额外的电平转换电路。这一特点极大地简化了系统设计过程，降低了整体成本。特别是对于那些希望利用现有微处理器或FPGA输出直接控制电源路径的设计者而言，这一点尤为关键。总之，凭借其卓越的电气性能、紧凑的物理尺寸以及广泛的环境适应能力，DMP3028LFDE-13成为了众多现代电子项目中不可或缺的关键组件之一。

DMP3028LFDE-13广泛应用于各类需要高效能电源管理和紧凑布局的电子设备中。首先，在便携式消费类电子产品领域，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，它常被用作负载开关，用来控制不同功能模块的供电状态，以达到节能的目的。例如，当某个子系统不工作时，可以通过关闭相应的MOSFET来切断电源供应，避免无谓的能量浪费。其次，在计算机及其外围设备中，包括笔记本电脑、台式机主板、USB集线器等，DMP3028LFDE-13可以作为电源多路复用器的一部分，根据需要选择不同的输入电源轨进行供电，或是实现热插拔保护功能，确保在连接外部设备时不产生冲击电流。
　　另外，由于其具备良好的高频响应特性和较低的开关损耗，DMP3028LFDE-13也非常适合用于DC-DC转换器中的同步整流环节。在这种应用场景下，它可以替代传统的肖特基二极管，显著提升转换效率，尤其是在轻载条件下优势更加明显。与此同时，借助于其小型化的SOT-23-6封装，设计师可以在有限的空间内集成更多的功能，满足日益增长的小型化趋势要求。
　　除此之外，DMP3028LFDE-13还可应用于各种类型的电池管理系统(BMS)，特别是在锂电池充电/放电回路中扮演重要角色。在这里，它不仅可以帮助实现精确的充放电控制，还能提供过流保护机制，防止因异常状况导致的安全隐患。总而言之，无论是在个人消费品还是专业级硬件平台上，只要涉及到精细的电源调控需求，DMP3028LFDE-13都展现出了强大的竞争力和广阔的应用前景。

DMG2302UW-7
　　SI2302DDS-T1-E3