DFP10N65是一款高压功率场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压、大功率应用场合。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于开关电源、电机驱动器、逆变器以及其他电力电子设备中。DFP10N65为N沟道增强型MOSFET,能够承受高达650V的漏源极电压,同时提供稳定的性能和可靠性。
最大漏源极电压:650V
最大栅源极电压:±20V
连续漏极电流:10A
导通电阻:3.8Ω(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗:170W
结温范围:-55℃至+150℃
DFP10N65具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:额定漏源极电压为650V,可适应高电压工作环境。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,典型导通电阻仅为3.8Ω,有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能:具备短开关时间和低输入电容,支持高频开关操作。
4. 高可靠性:经过严格的质量控制流程,确保长期稳定运行。
5. 热稳定性强:能够在宽温度范围内正常工作,满足工业级应用需求。
6. 小型化封装:通常采用TO-220或DPAK封装,便于散热和安装。
这些特性使得DFP10N65成为高性能电力转换和控制应用的理想选择。
DFP10N65广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):
- AC-DC转换器
- DC-DC变换器
2. 电机驱动器:
- 无刷直流电机控制
- 步进电机驱动
3. 逆变器:
- 太阳能逆变器
- 不间断电源(UPS)
4. 电池管理系统(BMS):
- 充放电控制
- 过流保护
5. 工业自动化:
- 可编程逻辑控制器(PLC)
- 固态继电器
由于其高耐压和大电流处理能力,DFP10N65特别适合需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
IRF840, STP10NK60Z, FQP15N60