时间：2025/12/29 13:15:05
阅读：16
9N90C是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有较高的漏极-源极击穿电压（通常为900V）和良好的导通电阻特性，使其适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。9N90C采用TO-220或TO-263等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：900V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）：9A（连续）
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.9Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220、TO-263等
9N90C MOSFET具备多项关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的高漏极-源极击穿电压（900V）使其适用于高电压输入的电源系统，例如工业电源、LED照明驱动器和开关电源（SMPS）。其次，该器件的导通电阻较低，典型值为0.9Ω，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，9N90C具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定运行，适用于恶劣的工业环境。其栅极驱动电压范围较宽（通常为±30V），使其兼容多种控制电路设计。最后，该MOSFET的封装设计（如TO-220）提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以进一步提升热管理能力。
9N90C广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器、充电器以及工业自动化设备中的电源模块。由于其高电压承受能力和较低的导通电阻，它在需要高效能、高可靠性和紧凑设计的电源系统中尤为受欢迎。此外，该器件也可用于AC-DC和DC-DC转换器中的主开关元件，以实现高效率的能量转换。
9N90C的替代型号包括：STF9N90M、IRF9N90C、FQA9N90C、TK9A90W等。这些器件在参数和封装上与9N90C相近，适用于相同的电源管理和功率转换应用场景。
