时间：2025/10/31 15:06:05
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DMN100是一款由Diodes Incorporated生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于高性能、小尺寸的功率MOSFET产品系列。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻和高开关效率的特点，适用于需要高效能功率管理的便携式电子设备和电源管理系统中。DMN100主要面向对空间和功耗敏感的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。其封装形式通常为小型化表面贴装封装，如SOT-23或类似尺寸，有助于节省PCB空间并提升系统集成度。该器件支持逻辑电平驱动，能够直接由数字控制器或微处理器IO口驱动，无需额外的驱动电路，从而简化设计复杂度并降低成本。作为一款N沟道增强型MOSFET，DMN100在关断状态下具有极低的漏电流，在导通状态下则表现出优异的电流承载能力和较低的功率损耗，是现代低电压、低功耗应用中的理想选择。此外，该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，满足工业级和消费类产品的环境要求。
型号：DMN100
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：4.1A @ 70°C
脉冲漏极电流（IDM）：16A
导通电阻（RDS(on)）：18mΩ @ VGS=4.5V, 2.9A
导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=2.5V, 2.1A
阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.0V
输入电容（Ciss）：330pF @ VDS=10V
反向恢复时间（trr）：14ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SOT-23
DMN100采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻特性，这使得它在低电压应用场景下能够显著降低传导损耗，提高整体系统效率。其RDS(on)在VGS=4.5V时仅为18mΩ，在同类小型封装MOSFET中处于领先水平，特别适合用于负载开关、电源路径管理和电池供电设备中的功率控制。由于其低阈值电压（典型值约0.8V），该器件可以在低至2.5V甚至更低的栅极驱动电压下充分导通，兼容3.3V、2.5V及1.8V逻辑电平，便于与现代微控制器、FPGA或专用电源管理IC直接接口，无需电平转换或外部驱动器。
该器件的小型SOT-23封装不仅节省宝贵的印刷电路板空间，而且具有良好的热性能，在适当布局条件下可有效散热。尽管封装尺寸小，但其连续漏极电流可达4.1A（在70°C时），并在脉冲条件下支持高达16A的峰值电流，展现出强大的瞬态负载应对能力。这一特性使其非常适合用于电机驱动、LED调光、热插拔控制和DC-DC转换器等需要短暂大电流输出的应用场合。
DMN100还具备出色的开关速度，得益于较低的输入电容（Ciss=330pF）和快速的反向恢复时间（trr=14ns），能够在高频开关应用中减少开关损耗，提升电源转换效率。同时，其体二极管的性能也经过优化，适用于同步整流或续流路径。此外，该器件符合RoHS环保标准，无卤素，并通过了AEC-Q101车规认证的部分测试项目，表明其在可靠性和环境适应性方面达到了较高水准，可用于汽车电子外围模块或严苛工业环境中。
DMN100广泛应用于各类低电压、高效率的功率开关场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关和负载切换，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能待机或系统分区上电管理。它也常被用作电池保护电路中的主控开关，配合保护IC实现过流、过压和短路保护功能。在DC-DC降压或升压转换器中，DMN100可作为同步整流管使用，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下表现优异。
此外，该器件适用于LED背光驱动电路中的电流调节开关，能够精确控制LED阵列的亮灭与亮度调节。在电机驱动应用中，如微型风扇或振动马达控制，DMN100凭借其低导通电阻和高电流能力，可以有效减少发热并延长设备续航时间。其他应用场景还包括USB电源开关、热插拔控制器、传感器电源管理、IoT设备中的低功耗开关节点以及各类嵌入式系统的电源域控制。由于其封装小巧且易于布局，特别适合高密度SMT组装生产线，满足大批量自动化生产的需求。
DMG1012U,USS1.6H,FDMS7680,FDC630P
