时间：2025/6/14 10:11:51
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GJM1555C1HR20WB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为需要高效率和低功耗的应用而设计。该芯片采用先进的制造工艺，具备卓越的导通电阻和快速开关性能，使其非常适合用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等场景。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，其出色的电气特性和可靠性使得它在工业和消费类电子领域中得到广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：90nC
输入电容：2080pF
总热阻（结到环境）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 快速开关速度，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 优化的封装设计，提升了散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
6. 提供优异的 ESD 保护能力，确保使用过程中的稳定性。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机控制与驱动
3. DC-DC 转换器
4. 工业逆变器
5. 电池管理系统（BMS）
6. 照明系统驱动
7. 各种高效能功率转换电路
GJM1555C1HR10WB01D
GJM1555C1HR30WB01D
IRF3205
FDP155N06L
