DMN-8652 时间：2025/12/25 1:09:14 阅读：21

DMN-8652 是一款由 Diodes 公司推出的双通道、低电压、高速度的 MOSFET 驱动器芯片，广泛应用于需要高效驱动功率 MOSFET 或 IGBT 的场合。这款芯片设计用于提供高驱动电流，从而减少功率器件的开关损耗，提高整体系统的效率。DMN-8652 采用小型封装，适合在空间受限的应用中使用，并具有较强的抗干扰能力。

参数

类型：MOSFET驱动器
　　通道数：2
　　供电电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流：±4A（典型值）
　　传播延迟：约 15ns（典型值）
　　输入逻辑电压兼容：3.3V 和 5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SOIC-8

特性

DMN-8652 的核心特性之一是其高驱动能力，能够快速充放电功率 MOSFET 的栅极电容，从而减少开关损耗并提高系统效率。其高速传播延迟（约 15ns）确保了在高频开关应用中信号的快速响应。此外，该器件支持宽输入电压范围（4.5V 至 18V），适用于多种电源设计场景。
　　该驱动器支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，兼容多种控制器输出信号，提升了设计的灵活性。内置的欠压锁定（UVLO）功能可以防止在电源电压不足时误操作，从而保护功率器件。DMN-8652 还具备较强的抗干扰能力，确保在嘈杂的电气环境中稳定工作。
　　采用 SOIC-8 封装，DMN-8652 在保持高性能的同时，节省了 PCB 空间，非常适合高密度电源设计。其低功耗设计也有助于减少整体系统的热量生成，提高可靠性。

应用

DMN-8652 主要用于高效电源转换系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、电机控制器、H 桥电路、功率因数校正（PFC）模块以及电池管理系统（BMS）。在电动车、工业自动化、电信设备及消费类电子产品中均有广泛应用。由于其高速驱动能力和抗干扰特性，特别适合用于高频开关应用，如电源模块和逆变器控制系统。