CQ0402DRNPO9BN8R2是一款陶瓷芯片电容器,采用多层陶瓷技术制造。它属于NP0温度特性的电容器,具有极高的稳定性,适用于高频和滤波应用。该型号为表面贴装器件(SMD),尺寸紧凑,适合高密度电路板设计。其额定电压和电容值等参数根据具体系列可能有所变化。
该电容器的材料选用高性能陶瓷介质,能够确保在宽温度范围内提供稳定的电气性能。此外,其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其成为射频(RF)和高速数字电路中的理想选择。
型号:CQ0402DRNPO9BN8R2
封装:0402
电容值:9pF
额定电压:50V
温度特性:NP0
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
直流偏压特性:低影响
耐潮湿等级:1级
CQ0402DRNPO9BN8R2电容器具备优异的频率响应特性,能够在高频环境下保持稳定性能。
由于采用了NP0(C0G)介质,该电容器对温度、电压和时间的变化表现出极小的偏差,非常适合需要高度稳定性和低损耗的应用场景。
它的小型化设计(0402封装)使得它能够轻松集成到现代电子设备中,如智能手机、无线通信模块和汽车电子系统。
此外,该产品符合RoHS标准,环保且满足国际合规性要求。
CQ0402DRNPO9BN8R2广泛应用于高频滤波器、振荡器、耦合和去耦电路等场合。
在射频前端模块中,这款电容器可以用于匹配网络以优化信号传输效率。
同时,它也适用于电源管理系统的噪声抑制和时钟电路中的信号整形。
由于其出色的温度稳定性,该电容器还常见于航空航天和工业控制领域。
CQ0402DNP09BN8R2
CQ0603DRNPO9BN8R2
GRM152C80J9BA01D