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SSF10N60A 发布时间 时间:2025/8/25 2:50:47 查看 阅读:15

SSF10N60A 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换电路中。这款器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和照明系统等高频功率应用。SSF10N60A 的额定电压为 600V,最大漏极电流可达 10A,适用于中高功率级别的设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):600V
  漏极电流(ID):10A(25°C)
  栅源电压(VGS):±30V
  导通电阻(RDS(on)):<0.65Ω @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220、TO-251(根据具体厂家)

特性

SSF10N60A 的最大特点是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统的整体效率。该器件在高电压条件下仍能保持稳定的性能,具有较强的抗雪崩击穿能力,能够在恶劣的工作环境中可靠运行。
  此外,SSF10N60A 具有快速的开关特性,其开关损耗较低,适用于高频开关应用。栅极电荷(Qg)相对较小,有助于降低驱动电路的负担,提高控制精度。
  该 MOSFET 还具备良好的热稳定性,能够在高温条件下维持性能稳定。其封装设计具有良好的散热能力,适用于需要长时间运行的电源系统。
  SSF10N60A 的制造工艺成熟,具有较高的可靠性和较长的使用寿命,广泛应用于工业控制、消费电子和照明设备中。

应用

SSF10N60A 主要用于各种电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括 AC-DC 开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动电路、LED 照明驱动器、家用电器电源模块以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高耐压和良好的导通特性,该器件在设计中能够有效提高能效并减小系统体积。

替代型号

FQA10N60C、IRF10N60B、STF10N60DM2、FDPF10N60

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