时间：2025/8/14 6:53:05
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DMMT3904W-AU_R1_000A1 是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）阵列，封装为TSSOP（超薄小外形封装），适用于高密度和高性能的电源管理和开关应用。该器件集成了两个独立的MOSFET，通常用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。
类型：MOSFET（N沟道）
配置：双MOSFET（两个独立器件）
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：100mA（每个MOSFET）
导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5V至2.8V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TSSOP
安装类型：表面贴装
DMMT3904W-AU_R1_000A1 是一款专为低电压和低电流应用优化的双MOSFET器件。其主要特性包括低导通电阻、高集成度和紧凑的封装形式，使其非常适合用于便携式电子产品、电源管理电路以及信号开关应用。
该器件的每个MOSFET都具有独立的引脚配置，允许用户灵活地进行电路设计。此外，DMMT3904W-AU_R1_000A1 的栅极阈值电压范围适中，可以在多种控制信号环境下稳定工作，例如由微控制器或其他逻辑电路驱动。
由于其采用TSSOP封装，该器件具有良好的热性能和电气性能，能够在有限的空间内提供高效的开关能力。此外，该MOSFET具有较高的温度稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能，适用于各种工业和消费类电子设备。
该器件还具有优异的可靠性，适用于长时间运行的系统，例如电池供电设备、传感器控制电路和LED驱动电路等应用场景。
DMMT3904W-AU_R1_000A1 广泛应用于需要高效能、低功耗和小型化设计的电子设备中。其典型应用包括便携式电子产品中的电源管理、负载开关、LED驱动控制、信号路由以及电池保护电路。
在移动设备中，它可以用作电池充电和放电控制电路的一部分，帮助延长电池寿命并提高系统效率。此外，在数字和模拟混合信号系统中，该器件可以作为信号路径的开关，实现高效的数据选择和路由。
其紧凑的封装和出色的电气性能也使其成为智能穿戴设备、物联网（IoT）设备和传感器网络的理想选择。
DMT3055LFG-13, FDN340P, BSS84
