时间：2025/5/29 15:13:55
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FS55X105K501EHG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的场效应晶体管（FET），属于 N 沟道 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于多种电源管理应用。其封装形式为 DPAK (TO-263)，能够提供良好的散热性能。
这款 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，例如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动等场景。此外，它还具备出色的雪崩耐量能力，能够在异常工作条件下保护电路。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：50A
导通电阻：5mΩ
栅极电荷：40nC
总电容：1350pF
功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
FS55X105K501EHG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率，在大电流应用中尤为显著。
2. 高速开关能力使其适用于高频开关电源。
3. 出色的热稳定性，即使在极端温度下也能保持稳定运行。
4. 封装形式支持高效的热量传导，便于散热管理。
5. 具备反向恢复电荷较低的体二极管，有助于减少开关损耗。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
这些特点使得 FS55X105K501EHG 成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统中的理想选择。
FS55X105K501EHG 广泛应用于以下几个领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流
4. 电机驱动与控制
5. 电池管理系统（BMS）
6. 工业自动化设备
7. 通信电源
由于其高效率和强大的散热能力，该器件特别适合功率密度较高的应用场景。
FDP55N10A, IRF540N, BUK7Y1R2-100E
