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FS55X105K501EHG 发布时间 时间:2025/5/29 15:13:55 查看 阅读:10

FS55X105K501EHG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的场效应晶体管(FET),属于 N 沟道 MOSFET 系列。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合于多种电源管理应用。其封装形式为 DPAK (TO-263),能够提供良好的散热性能。
  这款 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色,例如 DC-DC 转换器、同步整流器以及电机驱动等场景。此外,它还具备出色的雪崩耐量能力,能够在异常工作条件下保护电路。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:50A
  导通电阻:5mΩ
  栅极电荷:40nC
  总电容:1350pF
  功耗:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

FS55X105K501EHG 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻确保了更高的效率,在大电流应用中尤为显著。
  2. 高速开关能力使其适用于高频开关电源。
  3. 出色的热稳定性,即使在极端温度下也能保持稳定运行。
  4. 封装形式支持高效的热量传导,便于散热管理。
  5. 具备反向恢复电荷较低的体二极管,有助于减少开关损耗。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  这些特点使得 FS55X105K501EHG 成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统中的理想选择。

应用

FS55X105K501EHG 广泛应用于以下几个领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 同步整流
  4. 电机驱动与控制
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备
  7. 通信电源
  由于其高效率和强大的散热能力,该器件特别适合功率密度较高的应用场景。

替代型号

FDP55N10A, IRF540N, BUK7Y1R2-100E

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