DMG8880LK3 时间：2025/12/26 11:47:25 阅读：12

DMG8880LK3是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、N沟道MOSFET，采用小型化封装技术，专为高效率和高密度电源管理应用而设计。该器件基于先进的沟槽型MOSFET工艺制造，能够在极低的导通电阻（RDS(on)）下实现优异的开关性能，从而显著降低功率损耗，提高系统整体能效。DMG8880LK3特别适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备以及各类电池供电系统。其SOT-23-3封装形式不仅节省PCB空间，还具备良好的热性能，便于在紧凑布局中实现高效散热。此外，该MOSFET具有低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss），使其在高频开关操作中表现出色，适用于同步整流、负载开关、电机驱动和DC-DC转换器等关键电路。器件工作温度范围宽，通常支持-55°C至+150°C的结温范围，确保在各种环境条件下稳定运行。DMG8880LK3符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。

参数

型号：DMG8880LK3
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：8V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：7.3A（TA=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：29A
　　导通电阻（RDS(on)）：8.8mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：11.5mΩ @ VGS=2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
　　栅极电荷（Qg）：8.5nC @ VGS=4.5V
　　输入电容（Ciss）：330pF @ VDS=5V
　　开启时间（Ton）：约10ns
　　关断时间（Toff）：约15ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23-3

特性

DMG8880LK3的核心优势在于其极低的导通电阻与优化的栅极驱动特性，这使得它在低电压、大电流的应用环境中表现出卓越的能效表现。该器件在VGS=4.5V时的RDS(on)仅为8.8mΩ，在同类产品中处于领先水平，能够有效减少导通状态下的功率损耗（I2R损耗），提升系统效率。同时，其在VGS=2.5V时仍能保持11.5mΩ的低导通电阻，表明其具备良好的低电压驱动能力，适用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的控制电路，无需额外的电平转换或驱动IC，简化了设计复杂度并降低成本。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽结构工艺，提升了载流子迁移率，增强了电流处理能力。其低栅极电荷（Qg=8.5nC）和低输入电容（Ciss=330pF）特性显著降低了驱动电路所需的能量，减少了开关过程中的动态损耗，使其非常适合用于高频开关电源，如同步降压转换器或负载开关电路。快速的开启与关断时间（分别约为10ns和15ns）进一步增强了其在高速开关应用中的响应能力，有助于减小输出电压纹波并提升瞬态响应性能。
　　此外，DMG8880LK3的SOT-23-3封装不仅体积小巧（典型尺寸约2.9mm x 1.3mm x 1.1mm），而且具备良好的热传导性能，适合在高密度PCB布局中使用。尽管封装较小，但其热阻（θJA）经过优化，能够在合理布局和散热设计下支持高达7.3A的连续漏极电流。器件还具备优良的雪崩耐受能力和抗静电（ESD）保护能力，增强了在实际应用中的鲁棒性。内置体二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr），在续流过程中减少能量损耗，进一步提升系统效率。综合来看，DMG8880LK3是一款集高性能、小型化、低功耗于一体的理想选择，广泛应用于现代便携式电子产品中。

应用

DMG8880LK3主要应用于需要高效率、小尺寸和低电压操作的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，以实现节能和电源管理；在同步整流型DC-DC转换器中作为低边开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率；也可用于电池供电系统的电源路径管理，例如在充电管理和放电控制电路中实现高效的能量传输。此外，该器件适用于电机驱动电路、LED驱动、热插拔控制器以及各类信号切换和电源多路复用场景。由于其快速开关特性，也常被用于高频开关电源和脉冲功率系统中。