时间：2025/9/14 19:54:43
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BUK6D125-60EX 是一款由 NXP Semiconductors 生产的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 技术制造，具有极低的导通电阻和高可靠性。该器件设计用于高效率电源转换应用，如 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关以及电源管理系统。BUK6D125-60EX 的最大漏极-源极电压 (VDS) 为 60V，连续漏极电流能力可达 125A（在 25°C 环境温度下），适合用于需要高电流和低损耗的应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极-源极电压 (VDS)：60V
最大栅极-源极电压 (VGS)：±20V
最大连续漏极电流 (ID)：125A @ 25°C
导通电阻 RDS(on)：典型值 2.8mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
BUK6D125-60EX 采用先进的 Trench MOS 工艺技术，使其在导通状态下的电阻非常低，从而显著降低了功率损耗。该器件的 RDS(on) 典型值仅为 2.8mΩ，这使其在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗。此外，BUK6D125-60EX 具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热能力，适用于高功率密度设计。该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。其栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，适用于多种驱动电路设计，尤其适合与标准逻辑电平的 PWM 控制器配合使用。
BUK6D125-60EX 主要用于高效率功率转换系统，如同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及工业电源管理设备。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于需要高效率和低功耗的场合，如服务器电源、电信设备电源、电池管理系统以及电动车控制系统。此外，该 MOSFET 可用于高侧或低侧开关应用，提供出色的性能和可靠性。
IPB06N041AG、IRF1324S-7PPBF、FDP125N60FM、FDMS86180、SiS128DN
