IR3E202 时间：2025/8/28 1:48:27 阅读：22

IR3E202 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用中。这款晶体管采用了先进的沟槽技术，能够在较低的导通电阻下提供较高的电流承载能力，从而提高系统的效率。IR3E202 特别适用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动器以及各种工业自动化设备。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为 2.7mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

特性

IR3E202 具有优异的热稳定性和高电流密度特性，使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。
　　该器件采用了英飞凌的沟槽技术，使导通电阻（RDS(on)）显著降低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
　　其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）使其非常适合用于高频开关应用，减少开关损耗的同时提高系统响应速度。
　　此外，IR3E202 具有良好的雪崩能量能力，增强了器件在高应力条件下的可靠性。
　　该MOSFET具有出色的抗短路能力和坚固的封装设计，可在恶劣环境中提供长期稳定性。

应用

IR3E202 主要用于需要高功率密度和高效率的电源管理系统，例如服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器和电池充电器。
　　它也广泛应用于电机控制和驱动器设计中，如无刷直流电机（BLDC）驱动和电动工具控制电路。
　　此外，该器件还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统，提供高效且可靠的功率转换解决方案。
　　由于其出色的热性能和高可靠性，IR3E202 也适用于工业自动化和机器人控制系统中的高负载电路。