IR3E202 是一款由 Infineon Technologies(英飞凌)制造的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高功率和高频应用中。这款晶体管采用了先进的沟槽技术,能够在较低的导通电阻下提供较高的电流承载能力,从而提高系统的效率。IR3E202 特别适用于开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动器以及各种工业自动化设备。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):120A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为 2.7mΩ
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-263(D2PAK)
IR3E202 具有优异的热稳定性和高电流密度特性,使其在高负载条件下仍能保持稳定工作。
该器件采用了英飞凌的沟槽技术,使导通电阻(RDS(on))显著降低,从而减少了导通损耗并提高了整体效率。
其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)使其非常适合用于高频开关应用,减少开关损耗的同时提高系统响应速度。
此外,IR3E202 具有良好的雪崩能量能力,增强了器件在高应力条件下的可靠性。
该MOSFET具有出色的抗短路能力和坚固的封装设计,可在恶劣环境中提供长期稳定性。
IR3E202 主要用于需要高功率密度和高效率的电源管理系统,例如服务器电源、电信设备电源、DC-DC 转换器和电池充电器。
它也广泛应用于电机控制和驱动器设计中,如无刷直流电机(BLDC)驱动和电动工具控制电路。
此外,该器件还可用于太阳能逆变器和电动汽车充电系统,提供高效且可靠的功率转换解决方案。
由于其出色的热性能和高可靠性,IR3E202 也适用于工业自动化和机器人控制系统中的高负载电路。
SiHF120N60E、IRFB4110、IRF1407