DMG6968UTS 时间：2025/5/10 12:16:05 阅读：11

DMG6968UTS是一款高性能的N沟道增强型MOSFET，采用微型UTS (Ultra Thin Small) 封装设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能，适用于空间受限的应用场景。
　　这种MOSFET适合要求高效能和小型化的电路设计，如便携式设备、消费类电子产品和通信设备中的负载开关、同步整流器以及DC-DC转换器等。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：4.2A
　　导通电阻：45mΩ
　　栅极电荷：10nC
　　开关时间：ton=7ns, toff=15ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

DMG6968UTS具备低导通电阻，可有效降低功率损耗并提升效率。
　　其超小型封装使其成为高密度电路板的理想选择。
　　同时，快速的开关特性和低栅极电荷允许其在高频应用中保持高效性能。
　　该器件还拥有良好的热稳定性和抗静电能力（ESD保护），从而增强了可靠性。
　　由于其紧凑的设计与优异的电气性能，这款MOSFET特别适合需要节省空间且追求高效率的现代电子系统。

应用

该元器件广泛应用于各类电源管理方案中，包括但不限于：
　　1. 负载开关：用于控制不同负载的供电状态。
　　2. 同步整流：在反激式或正向转换器中提高效率。
　　3. DC-DC转换器：提供高效的电压转换功能。
　　4. 电池管理系统：实现对电池充放电过程的有效监控与保护。
　　5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑及笔记本电脑的内部电路设计。
　　此外，它还可用于工业控制、汽车电子等领域。