时间：2025/7/9 23:36:59
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DMG6968U-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于Diodes Incorporated公司推出的低电压功率MOSFET系列。该器件采用微型SOT-23封装，适用于空间受限的应用场景。DMG6968U-7以其低导通电阻和快速开关特性而著称，非常适合便携式电子设备、电池供电系统以及高效能转换电路中的负载开关和同步整流应用。
这款MOSFET设计用于在较低的驱动电压下实现高效的电流传输，同时保持极低的功耗。其主要目标市场包括消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：4.5A
导通电阻（Rds(on)）：0.42Ω（典型值，在Vgs=4.5V时）
栅极电荷：4nC（典型值）
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+150℃
DMG6968U-7具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻确保了高效率的电流传输，减少了功率损耗。
2. 快速开关能力使其能够适应高频应用环境。
3. 高度集成的小型SOT-23封装极大地节省了印刷电路板上的空间。
4. 优异的热稳定性和可靠性使得它能够在广泛的温度范围内正常运行。
5. 能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，增强了系统的整体鲁棒性。
DMG6968U-7广泛应用于各种电子设备中，具体包括：
1. 移动设备和可穿戴设备中的负载开关。
2. 各种电源管理模块中的同步整流功能。
3. 消费类电子产品中的小型化DC-DC转换业自动化和通信设备中的保护电路。
5. 电池管理系统中的关键开关元件。
由于其紧凑的设计和高性能表现，DMG6968U-7成为了众多低功耗、高效率应用场景的理想选择。
DMG6968UF-7, DMG6968UMT-7
