类型：功率MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V）
　　封装形式：双散热片（Dual Drain, 2-Drain）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

R3604-2DR 具备多项先进的设计特点，使其在各种应用中表现出色。首先，其超低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，这对于高功率应用尤为重要。其次，该器件采用了优化的封装设计，具有两个漏极引脚，有助于降低引线电感，提高高频开关性能，减少开关损耗。此外，该MOSFET能够在高温度环境下稳定工作，具备优异的热稳定性和可靠性，适合汽车电子、工业电源和电机控制等对可靠性要求较高的场景。
　　器件的栅极驱动电压范围宽广（±20V），允许使用不同的驱动电路设计，提高系统设计的灵活性。R3604-2DR 的沟槽式结构设计也提升了电流密度和导通性能，使其在高电流负载下仍能保持良好的效率和稳定性。同时，该器件具有良好的短路耐受能力，增强了在异常工作条件下的鲁棒性。
　　在封装方面，其双漏极设计不仅降低了封装电感，还提升了散热性能，确保在高功率密度应用中保持较低的温度上升。这使得 R3604-2DR 成为用于DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和电源模块等应用的理想选择。

R3604-2DR 主要应用于需要高效功率转换和高可靠性的电子系统中。典型的应用领域包括：工业电源、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）、电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高功率密度电源模块。此外，该器件也非常适合用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V轻混系统和电机驱动控制等场景。由于其优异的热性能和电气性能，R3604-2DR 可以显著提高系统效率并减少热量产生，从而延长系统使用寿命。

SiR3604-2DR、IRF3604、SiR3442ADK、R3608-2DR