容量：4Mbit
　　组织方式：256K x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　最大访问时间：6ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行

GM71VS17403CLT-6 SRAM芯片具有多项出色的性能特点。首先，它的高速访问时间为6ns，能够满足高速数据处理的需求，适合用于缓存和高速缓冲存储器应用。其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，提供了良好的兼容性，能够适应不同的电源设计需求。此外，TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了设备的集成度，适用于高密度电路板布局。
　　这款SRAM还具有低功耗的特点，在保持高性能的同时，减少了能量消耗，适合长时间运行的应用环境。其工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在极端环境下的稳定运行，提高了设备的可靠性和耐久性。此外，该芯片采用了CMOS工艺，具有较高的抗干扰能力，减少了信号传输过程中的误码率，从而保证了数据的完整性。

GM71VS17403CLT-6 SRAM芯片广泛应用于多种高性能电子设备中。在网络设备中，它可以作为高速缓存来存储临时数据，提高数据传输效率。在通信系统中，该芯片可用于存储协议信息、临时数据和控制信息，确保设备的高效运行。在工业控制系统中，该芯片可用于实时数据存储和处理，提高系统的响应速度和稳定性。此外，GM71VS17403CLT-6还可用于高端计算平台、嵌入式系统和图像处理设备，为这些设备提供高速、可靠的数据存储支持。

ISSI IS61LV25616-6T、Cypress CY62148E、Renesas IDT71V124SA、Microchip 23K256-I/P