时间：2025/7/4 5:29:09
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RSD100N10FRA 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSOT-528 封装形式。这款器件适用于高效率开关应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等优点。其设计适合于需要高效能功率管理的电路中，例如电源适配器、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.6A
导通电阻（典型值）：17mΩ
栅极电荷：34nC
总电容：140pF
功耗：13W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
RSD100N10FRA 提供了卓越的电气性能，尤其是在高频应用中表现尤为突出。其低导通电阻有助于减少传导损耗，而快速开关能力则可以降低开关损耗。
此外，该 MOSFET 的封装采用了 SuperSOT-528 技术，具备良好的散热性能和紧凑尺寸，非常适合空间受限的应用环境。
它还拥有增强型短路保护功能，确保在异常条件下能够保持较高的稳定性与安全性。
RSD100N10FRA 广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电池充电管理系统
- 工业控制设备中的电机驱动
- 照明系统中的 LED 驱动器
- 各种消费类电子产品中的功率转换模块
RSD100N10FTA, IRFZ44N, FDP150N10AS
