时间：2025/6/25 15:11:38
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DMG6602SVTX-7是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Diodes Incorporated生产。该器件采用SOT-363小型表面贴装封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。它具有较低的导通电阻和快速开关特性，广泛用于消费电子、通信设备以及便携式设备中的电源管理电路。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ
栅极电荷：4nC
总电容：12pF
工作结温范围：-55℃至150℃
DMG6602SVTX-7的主要特点是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较高的温度范围内正常运行。
它的快速开关能力和低输入电容使其非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等。同时，SOT-363封装提供了紧凑的设计，节省了PCB空间，非常适合空间受限的应用环境。
DMG6602SVTX-7通常被应用于各种电源管理和信号切换场合，包括但不限于：
- 移动设备中的负载开关
- DC-DC转换器和降压稳压器
- 电池供电设备中的保护电路
- 电机驱动和音频放大器中的开关元件电子产品中的电源路径管理
DMG6602LV-7
DMG6602SVTQ-7
DMG6602LVTQ-7
