时间：2025/5/31 3:06:30
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D5PE740M0P 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型 DFN5x6-8L 封装。这种器件具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点，广泛应用于需要高效能和小尺寸设计的电路中。
该芯片适用于消费类电子产品、工业设备以及通信系统中的电源管理部分。通过优化的制造工艺，此功率 MOSFET 能够在高频开关应用中提供卓越的性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
总功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：DFN5x6-8L
D5PE740M0P3NZ-Z 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够减少功率损耗并提升整体效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 较小的热阻，有助于提高散热性能。
4. 小型化封装设计，节省印刷电路板空间。
5. 提供了良好的电磁兼容性 (EMC) 性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该元器件常用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池保护电路。
4. 固态继电器。
5. 电机驱动和负载切换。
6. 各种便携式电子设备中的电源管理模块。
DMP2002UFG-7, Si7446DN, FDS8947
