SKNH56/16E 时间：2025/8/23 7:44:29 阅读：6

SKNH56/16E是一款由SEMIKRON（西门康）公司制造的双封装IGBT（绝缘栅双极晶体管）功率模块，广泛用于高功率电子设备中，如逆变器、电机驱动器和电源系统。该模块集成了两个IGBT器件，具备高效的功率转换能力与较低的导通和开关损耗。其设计支持高电流负载，具有良好的热稳定性和可靠性，适合于工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等应用领域。

参数

类型：IGBT模块
　　配置：双管封装（Dual IGBT）
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1600V
　　额定集电极电流（IC）：56A（在特定散热条件下）
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　封装类型：模块化封装，通常为DIP或螺栓式安装
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　最大结温（Tj）：+175°C
　　导通压降（VCEsat）：约2.8V（典型值）
　　热阻（Rth）：芯片到散热器的热阻较低，具体数值参考数据手册

特性

SKNH56/16E采用先进的IGBT芯片技术，具有低导通损耗和开关损耗，适合高频开关应用。其双管封装结构允许并联使用，提高系统功率容量和冗余性。模块内部集成续流二极管（FWD），用于反向电流保护，提高了系统的稳定性和可靠性。此外，该模块具备良好的绝缘性能和高耐压能力，确保在高压环境下的安全运行。模块的封装设计优化了热管理，有助于有效散热，延长使用寿命。SKNH56/16E还具备较强的短路耐受能力，能够在异常工况下提供额外的保护，防止器件损坏。