时间：2025/8/2 8:46:11
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DMG1024UV-7 是一款由 Diodes 公司生产的双通道 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench MOS 工艺制造。该器件专为高性能、低功耗应用而设计，广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及便携式电子设备中的功率控制。DMG1024UV-7 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 封装，具备高集成度和出色的热性能。
类型：P 沟道 MOSFET
配置：双通道
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-4.4A（每个通道）
导通电阻（RDS(on)）：26mΩ（典型值，VGS = -4.5V）
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：8 引脚 SOIC
DMG1024UV-7 的核心特性包括其低导通电阻和双通道结构，使其能够在高效率电源系统中实现更低的传导损耗。
该器件采用先进的 Trench MOS 工艺，提供更高的沟道密度和更优的开关性能，适用于高频率开关应用。
每个通道的额定漏极电流为 -4.4A，能够满足中高功率应用的需求，同时在高负载条件下保持稳定的性能。
其 -20V 的漏源电压额定值使得该器件在电池供电设备和低电压电源系统中具有良好的适用性。
此外，DMG1024UV-7 的栅极驱动电压范围为 ±12V，兼容常见的逻辑电平驱动器，便于与数字控制电路集成。
器件内部具备良好的热设计，结合 8 引脚 SOIC 封装的散热性能，确保在高功耗环境下仍能稳定运行。
其高集成度设计减少了外围元件的需求，简化了 PCB 布局，提高了系统的整体可靠性。
DMG1024UV-7 主要用于需要双通道 P 沟道 MOSFET 的高性能电源管理系统中。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的负载开关和 DC-DC 转换器。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也非常适合用于电源管理模块、电池充电电路和电源路径控制。
在工业自动化和通信设备中，DMG1024UV-7 可用于电源分配系统和热插拔保护电路，以实现高效率的能量传输和负载隔离。
其双通道结构还使其适用于需要并联操作的高功率应用，例如电源冗余设计和负载均流控制。
此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED 照明控制和电池管理系统，提供高效、稳定的功率控制解决方案。
DMG1014UV-7, DMG1012UW-7, AO4496
