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LN1132P122MR-G 发布时间 时间:2025/8/22 5:16:02 查看 阅读:26

LN1132P122MR-G 是一颗由 LRC(乐山无线电)公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动器等。它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适合在高要求的工业和消费类电子产品中使用。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):20V
  连续漏极电流(ID):60A(在 Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):12.2mΩ(最大值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):120W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装类型:TO-220
  引脚数:3
  栅极电荷(Qg):70nC(典型值)

特性

LN1132P122MR-G 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了优异的开关性能,适合高频应用。此外,LN1132P122MR-G 的 TO-220 封装形式具有良好的散热能力,能够承受较大的功率耗散,在高电流和高温度环境下依然保持稳定运行。
  这颗 MOSFET 还具备较高的耐压能力,漏源电压(VDS)为 30V,能够满足低压高电流应用的需求。栅源电压容限为 20V,允许使用较高的驱动电压以获得更快的开关速度和更低的导通电阻。此外,该器件的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低开关损耗并提高系统的动态响应能力。
  其热阻(RθJA)较低,有助于在高功耗条件下有效散热,从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。适用于各种电源管理应用,包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等。在工业控制、通信设备和消费电子产品中都有广泛的应用前景。

应用

LN1132P122MR-G 主要应用于需要高效率和高频率开关性能的电源转换系统中。例如,它可被用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统等。此外,该 MOSFET 也适用于负载开关、热插拔电源控制和电源管理模块等场景。

替代型号

Si4410BDY, IRF1324S-7PPBF, IPB065N03L G, AUIRF1324S-7P

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