时间：2025/8/22 5:16:02
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LN1132P122MR-G 是一颗由 LRC（乐山无线电）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和马达驱动器等。它采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适合在高要求的工业和消费类电子产品中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：60A（在 Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：12.2mΩ（最大值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：120W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220
引脚数：3
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
LN1132P122MR-G 具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的开关性能，适合高频应用。此外，LN1132P122MR-G 的 TO-220 封装形式具有良好的散热能力，能够承受较大的功率耗散，在高电流和高温度环境下依然保持稳定运行。
这颗 MOSFET 还具备较高的耐压能力，漏源电压（VDS）为 30V，能够满足低压高电流应用的需求。栅源电压容限为 20V，允许使用较高的驱动电压以获得更快的开关速度和更低的导通电阻。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低开关损耗并提高系统的动态响应能力。
其热阻（RθJA）较低，有助于在高功耗条件下有效散热，从而延长器件的使用寿命并提高系统的可靠性。适用于各种电源管理应用，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统和负载开关等。在工业控制、通信设备和消费电子产品中都有广泛的应用前景。
LN1132P122MR-G 主要应用于需要高效率和高频率开关性能的电源转换系统中。例如，它可被用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器以及电池管理系统等。此外，该 MOSFET 也适用于负载开关、热插拔电源控制和电源管理模块等场景。
Si4410BDY, IRF1324S-7PPBF, IPB065N03L G, AUIRF1324S-7P
