时间：2025/8/4 11:02:13
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TBL 090-124 是一种高频功率晶体管，常用于射频（RF）和微波放大器应用中。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，具备高功率密度、高效率和良好的热稳定性，适合用于通信基础设施中的功率放大器模块。
类型：LDMOS功率晶体管
频率范围：2.3 GHz至2.7 GHz
输出功率：120 W（典型值）
增益：约18 dB
效率：65%以上
漏极电压：28 V
工作温度范围：-65°C至+150°C
TBL 090-124 具备优异的射频性能和高可靠性，其LDMOS结构提供良好的线性度和热管理能力。该晶体管在2.3 GHz至2.7 GHz频段内能够提供高达120 W的输出功率，适用于TD-LTE、WiMAX和其他宽带通信系统中的高功率放大需求。此外，该器件具有较高的功率附加效率（PAE），有助于降低功耗和散热需求，从而提升整体系统效率。
在封装方面，TBL 090-124 采用高热导率的金属陶瓷封装，确保在高功率工作条件下的稳定性和散热性能。它还具备良好的抗失真能力，适用于需要高线性度的应用场景，如多载波通信系统和基站设备。其输入和输出匹配电路已经内部优化，简化了外部设计，提高了系统集成的便利性。
此外，该晶体管具有良好的稳定性和耐用性，能够在恶劣的环境条件下长期运行，适用于工业级和通信级应用。通过适当的设计和偏置调整，TBL 090-124 可以满足多种射频功率放大需求，同时保持较低的失真和较高的信号保真度。
TBL 090-124 主要应用于2.3 GHz至2.7 GHz频段的射频功率放大器，适用于无线通信基础设施，如TD-LTE基站、WiMAX发射机和多载波无线系统。此外，它也可用于工业和测试设备中的高功率射频信号放大，如射频加热、测试仪器和广播系统中的功率放大模块。
TBL090-124N5, TBL090-124N5-ND, TBL090-124R
